一、主要技術(shù)指標(biāo)：
1.儀器架構(gòu)：雙恒電位儀、恒電流儀、交流阻抗譜儀;
C、R、Ws、Wf四線測(cè)量。
2.接地模式：可根據(jù)體系要求設(shè)置成實(shí)地模式或浮地模式
3.槽壓：±22V
4.電位掃描范圍：+12.8V
5.CV小電位增量：0.0125mV
6電位控制精度：<0.5mV
7.電位控制噪聲：<0.01mV
8電位上升時(shí)間：<0.25uS
9.電位測(cè)量零位：自動(dòng)校正
10.電位更新及阻抗采集速率：10MHZ
11電位測(cè)量精度：滿量程的0.1%
12.掃描速度：0.000001V/S-20000V/S
13.參比電極輸入阻抗/電容:>1013Ω//<10PF
14.大恒電流輸出：+0.5A
15.輸入偏置電流：<0.1pA
16.電流測(cè)量分辨率：小0.2fA
17.電流測(cè)量量程：1pA -0.5A（共25檔
18.電流測(cè)量高靈敏度：1X10X-12A/V
19.電流測(cè)量精度：滿量程的0.1%
20.交流阻抗譜頻率：0.0001HZ~1MHZ（11個(gè)階頻）
21.CA和CC脈沖寬度：0.1mS~1200S
22 DPV脈沖寬度：0.05mS~64S
23限壓反饋恒流換向時(shí)間：0.1mS
24.電池圈容量充電工步：激活、恒流、恒壓、涓流
25.脈沖電鍍/小脈寬 八個(gè)脈沖可正負(fù)/0.05mS
26.儲(chǔ)能電化學(xué)測(cè)量保護(hù)模式：極性、電壓、電流、時(shí)間、鏈路
27.電極智能柔性保護(hù) 電壓超載、電流超載
28.激勵(lì)電流范圍：10nA、100nA、1μA，10μA，100μA，
1mA，10mA，100 mA、200 mA、500 mA
29.方塊電阻范圍：0.5mΩ/sq～5GΩ/sq
30.電阻率范圍：10-6～106Ωcm
質(zhì)保期：全機(jī)三年
二、電化學(xué)測(cè)試方法：（68種）
線性掃描伏安法LSV | 線性掃描溶出伏安法 |
線性掃描循環(huán)伏安法LCV | 動(dòng)電流掃描I-E曲線 |
階梯伏安法SV | 階梯溶出伏安法 |
階梯循環(huán)伏安法SCV | 方波伏安法SVV |
方波溶出伏安法 | 方波循環(huán)伏安法SWCV |
差示脈沖溶出伏安法 | 常規(guī)脈沖伏安法NPV |
差示常規(guī)脈沖伏安法DNPV | 單電位階躍計(jì)時(shí)電流法CA |
單電位階躍計(jì)時(shí)電流法CC | 多電位階躍計(jì)時(shí)電流法CA |
單電位階躍計(jì)時(shí)電量法 | 恒電位電解I-T曲線 |
恒電位電解Q-T曲線 | 恒電位溶出I-T曲線 |
恒電位溶出Q-T曲線 | 開(kāi)路電位E-T曲線OCPT |
電位溶出E-T曲線 | 單電流階躍計(jì)時(shí)電位法CP |
多電流階躍計(jì)時(shí)電位法 | 控制電流E-T曲線 |
交流伏安法ACV | 交流溶出伏安法 |
交流循環(huán)伏安法ACCV | 塔菲爾圖Tafel |
交流阻抗譜EIS | 脈沖電鍍法 |
電鍍電位監(jiān)測(cè) | 氯離子濃度監(jiān)測(cè) |
宏電池電流監(jiān)測(cè) | 微分電容-電位 |
微分電容-頻率 | 交流阻抗-電位 |
交流阻抗-時(shí)間 | 電偶腐蝕 |
高阻電位計(jì) | 零阻電流計(jì) |
點(diǎn)蝕電位 | 環(huán)形掃描 |
電化學(xué)噪聲測(cè)量 | 差分脈沖電流檢測(cè) |
雙差分脈沖電流檢測(cè) | 三脈沖電流檢測(cè) |
積分脈沖電流檢測(cè) | 鍍錫量測(cè)定 |
二次諾波交流伏安法 | 傅里葉交換交流伏安法 |
器件電阻電源電阻測(cè)量 | 四探針?lè)綁K電阻測(cè)量 |
線裝材料電阻率測(cè)量 | 刀狀探頭方塊電阻測(cè)量 |
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注:輸出電流提高到正負(fù)2A的型號(hào)是DF2002-42，高槽壓的型號(hào)是DF2002-4-30。
